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DRAM價黃金交叉
作者: 記者涂志豪╱台北報導/中時電子報/2012年12月17日 上午5:30.
近期DRAM現貨價強勁走揚,半個月累計漲幅已逾2成,今日公佈的12月下旬合約價預估將再度彈升、上漲約2%。業者認為現貨、合約價已啟動「雙價雙漲」行情,DRAM現貨價漲破合約價的「黃金交叉」也再度重現江湖。
本報上周五獨家揭露DRAM現貨價單日急漲1成消息,2Gb DDR3原廠顆粒價格一天之內拉高到1.05美元,有效測試(eTT)顆粒亦漲到0.9美元、單日漲幅高達1成。包括集邦等報價網站,上周五晚間公佈漲價訊息,證實DRAM報價漲升行情已正式啟動。
12月以來,DRAM價格出現「現貨價漲破合約價、雙價雙漲」的黃金交叉行情,DRAM廠南科、華亞科上周五攻上漲停,華邦電也大漲4.8%。法人指出,威剛、品安、商丞等DRAM模組廠受惠溢價差擴大,進一步帶動獲利大增,本周可望啟動補漲行情。
受惠現貨價格上漲帶動,DRAM合約價也見到止跌及反轉訊號。2GB DDR3模組價格由8.75美元上漲到9美元,雖然漲幅僅2%,但代表ODM/OEM廠手中DRAM庫存已降至安全水位以下,庫存回補需求已浮上檯面,且DRAM廠及模組廠無法足額供貨。
DRAM現貨價從今年2月以來就一直低於合約價,但在DRAM廠全面減產效應發酵,及ODM/OEM廠因存貨過低開始搶補庫存需求推升,現貨價12月以來已大漲逾2成,成功帶動合約價止跌上漲。以價格走勢觀察,因為符合「現貨價漲破合約價、雙價雙漲」的條件,DRAM價格黃金交叉,宣告DRAM波段漲勢即將啟動。
由於三星、SK海力士、爾必達及美光等廠商,不僅今年減少標準型DRAM產能,明年還要持續調降。如爾必達將全部轉為Mobile DRAM廠,三星也將標準型DRAM產出比重由今年30%下調至明年20%以下;SK海力士要由今年50%降到明年40%以下。
供給量大減,業界十分看好DRAM價格漲幅持續到明年中國農曆年前,2Gb DDR3現貨價月底前可望拉高至1.2~1.3美元。法人推估DRAM廠本季虧損可望大減,模組廠本季獲利可較上季成長3~4成。
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